濟(jì)南市引進(jìn)的富士康高功率芯片項(xiàng)目，主要為年產(chǎn)36萬(wàn)片8寸硅基功率器件和12萬(wàn)片6寸SiC功率器件的工業(yè)廠房。項(xiàng)目總占地630.6畝，一期占地318畝，一期總投資50億元，建筑面積24萬(wàn)平米。

    據(jù)介紹，中鐵14局主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場(chǎng)區(qū)市政以及安裝工程等，目前項(xiàng)目進(jìn)場(chǎng)道路已經(jīng)打通，正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工；降水工程基本完成，強(qiáng)夯工程正在施工；臨建板房、場(chǎng)區(qū)圍擋正在搭設(shè)；cub動(dòng)力廠房樁基正式開(kāi)始施工。

    此外，3月15日濟(jì)南高新區(qū)管委會(huì)亦發(fā)布新聞稿稱，濟(jì)南臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)組織舉行富能高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目樁基開(kāi)工儀式。文中消息顯示，該項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件（主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項(xiàng)目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬(wàn)平方米，投資50.53億元。

    富士康濟(jì)南項(xiàng)目（富能高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目）將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件（主要生產(chǎn)MOSFET（金氧半場(chǎng)效晶體管）、CoolMos、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）器件）和6寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地，項(xiàng)目一期用地317.92畝，建筑面積約24.5萬(wàn)平方米，投資50.53億元。

    十月底將完成部分主體施工，明年一季度全部建成使用。項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)65億元以上的營(yíng)收。該項(xiàng)目是中國(guó)大陸地區(qū)功率器件技術(shù)起點(diǎn)最高的項(xiàng)目，具備全球行業(yè)前五的技術(shù)實(shí)力，產(chǎn)品應(yīng)用將基于智能手機(jī)、8K電視、5G 通信、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等，重點(diǎn)面向各種消費(fèi)類和車載應(yīng)用等主流市場(chǎng)。本項(xiàng)目的落地也徹底打破了我市乃至我省半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)缺乏龍頭項(xiàng)目的局面。


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