案例分類1

英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司新建半導(dǎo)體生產(chǎn)廠房等項目，新建廠房面積149671.3平方米，新建輔房面積26412平米，位于蘇州市吳江區(qū)。由汾湖高新區(qū)（黎里鎮(zhèn)）結(jié)合國家級高新區(qū)創(chuàng)建而打造的新型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，將以華功半導(dǎo)體“一院兩中心”、英諾賽科為牽頭項目，加快招引優(yōu)質(zhì)項目，打造集研發(fā)、生產(chǎn)、科技服務(wù)和孵化于一體的新型半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地；由吳江高新區(qū)（盛澤鎮(zhèn)）重點打造的紡織循環(huán)經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園，將以促進(jìn)資源節(jié)約集約利用、改善生態(tài)環(huán)境為目標(biāo)，加快推進(jìn)印染企業(yè)集中入園，實現(xiàn)主要污染物排放量降低15%。

英諾賽科是2015年12月由海歸團(tuán)隊發(fā)起創(chuàng)辦，從事寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的研發(fā)與生產(chǎn)，一期項目位于珠海市國家級高新區(qū)，已完成投資10.9億元，建設(shè)8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產(chǎn)生產(chǎn)線。公司商業(yè)模式將采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，打造集研發(fā)、設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試于一體的生產(chǎn)平臺，主要產(chǎn)品包括100V-650V 8英寸硅基氮化鎵外延片、100V-650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。

硅氮化鎵技術(shù)能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適合用于電視機(jī)電源和D類音頻放大器等消費電子產(chǎn)品，服務(wù)器和電信設(shè)備中使用的SMPS。IHS發(fā)布的市場研究報告稱，面向功率半導(dǎo)體的硅基板GaN技術(shù)市場，將以高達(dá)50%以上的年均復(fù)合增長率(CAGR)成長。到2023年，其市場容量將從2014年的1,500萬美元，增至8億美元。